نمونه پایاننامه کارشناسی ارشد مهندسی برق – الکترونیک
نمونه پایاننامه برق الکترونیک موردی است که اغلب دانشجویان کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک به دنبال آن بوده تا بتوانند در راستای نوشتن پایاننامه خود از آن بهره ببرند. از طرفی بسیاری از دانشجویان به دنبال مورد مشابه با کار آموزش انجام شده توسط خودشان که به صورت کامل و درست تکمیل شده باشد، می گردند تا با قیاس بین آنها کمبودها را جبران نمایند.از طریق مقایسه کار خود با پایاننامه های آموزش انجام شده می توان به دیگر جنبه های تحقیقاتی پیرامون موضوع پایاننامه پی برد.
لازم به ذکر است پایاننامه های قرار گرفته در ادامه ، پایاننامه های گردآوری شده از منابع مختلف بوده و موسسه هورتاش در مورد صحت و یا کیفیت این پایاننامه ها هیچ تضمین و ادعایی ندارد.
نمونه پایاننامه برق الکترونیک
موضوع:
چکیده:
هدف از آموزش انجام اين پایاننامه طراحي و ساخت کنترل دماي ديجيتالي تابلوهاي برق با استفاده از ميکروکنترولر AT M32 مي باشند. دستگاهي که طراحي و ساخته شده علاوه بر قسمت اتوماتيک داراي بخش است که مي توان دما ، فن و هيتر را بصورت دستي تغيير وضعيت داد. تحقق اين پایاننامه کمک شاياني به کنترل دما با دقت بالا در محل هاي کار ، کارخانجات و بخصوص کارخانه هاي جوجه کشي مي باشد . طبق برنامه اي که براي اين پایاننامه نوشته شده است دماهايي که بصورت دستي تغيير ميکنند ، رنج محدودي دارند که اين رنج توسط سازنده مشخص شده است.
دانلود نمونه پایاننامه برق الکترونیک 1
موضوع:
چکیده:
امروزه، با توجه به وجود وابستگي متقابل ميان زيرساختهاي حياتي جامعه (نظير برق، آب، گاز و غيره)، آسيبپذيريهاي ناشي از تهديدات افزايش خواهد يافت؛ به طوريکه اختلال در روند عادي يکي از آنها به واسطه بروز هر نوع تهديد، ميتواند بر روي روند عادي زندگي و امنيت کلان جامعه، تاثيرات نامطلوبي بجا نهد. بر اساس يک ديدگاه، تهديدات متصور براي يک سيستم قدرت، شامل حوادث طبيعي و انسانساز است. هدف اصلي اين تحقيق، مدلسازي سيستم قدرت با رويکرد پدافند غيرعامل در مقابل تهديدات الکترومغناطيسي و بررسي راهكارهاي افزايش ايمني و امنيت آن در برابر اين نوع از تهديدات خواهد بود.
ارائه راهکارهاي حفاظتي و جلوگيري از آسيب به سيستم قدرت، حفظ و تداوم فرايندهاي کاري، سرمايهها و منابع مربوطه، نيازمند شناسايي تهديدات و تعيين سناريوهاي وقوع آنهاست. در اين تحقيق، منظور از سيستم قدرت، يک پست فشار قوي داراي اتاق فرمان و تهديدات مورد نظر از نوع انفجارات اتمي بالاي سطح زمين ((HEMP و فرستندههاي توان بالاHPEM)) است. در اين تحقيق، پس از بررسي کلي اجزاي سيستم قدرت، به تهديدات الکترومغناطيسي، مفاهيم مربوط به سازگاري الکترومغناطيسي (EMC)/ تداخل الکترومغناطيسي (EMI)، نفوذپذيري و آسيبپذيري سيستم قدرت در برابر حملات الکترومغناطيسي پرداخته ميشود.
با توجه به اينکه تجهيزات مهم سيستم قدرت مورد نظر اين تحقيق، شامل محفظههاي مربوط به سيستم الکترونيکي، پردازشي و مخابراتي، رکهاي کنترلي و سازه بتني پست ميباشد، لذا سنجش ميزان کيفيت حفاظتسازي (SE) در هر يک از آنها به كمك نرمافزار شبيهساز CST، نشان ميدهد که روزنههاي مستطيلي عريض تعبيه شده در ساختارهاي محفظهها و رکهاي ياد شده، داراي کمترين حفاظت الکترومغناطيسي و روزنههاي دايروي داراي بيشترين حفاظت الکترومغناطيسي است.
نتايج شبيهسازي براي سازه پست نشان ميدهد که ساختمانهاي بتني، تقريباً هيچگونه حفاظتي در برابر تهديدات ندارند؛ اما در صورتي که در ساختارشان از بتن مسلح استفاده شود، ميزان کيفيت حفاظتسازي (SE) در فرکانسهاي پايين بهبود مييابد.
دانلود نمونه پایاننامه برق الکترونیک 2
موضوع:
چکیده:
رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، همراه با مزایای دور از انتظاری که برای این فناوری به دنبال داشته، چالش های فراوانی را نیز فرا روی متخصصین الکترونیک قرار داده است. برخی از این چالش ها مربوط به فرآیند و فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و بخشی نیز مربوط به کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها است که پایه و اساس آنها می باشد. افزایش این مسائل پژوهشگران را به فکر جایگزینی مواد جدیدی به منظور استفاده در مدارهای الکترونیکی انداخت، که به جای استفاده از ترانزیستورها و ابزارهای سیلیکونی که با چنین محدودیت هایی روبرو است، از مواد دیگری استفاده کنند.
یکی از محتملترین جایگزینهای CMOS ، ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی (CNFET) است، که شامل نانو لوله های تک جداره نیمه هادی همجوار است که به دلیل خاصیت الکترونی عالی، قابلیت جایگزین شدن بر مدارات CMOS سیلیکونی را دارد. از اين ترانزيستور در ساختار يک OPAMP استفاده شده است. در این پایاننامه ابتدا ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی (CNFET) ،تاریخچه ،مزایا و محدودیت های آن ها را به طور اجمال مورد بررسی قرار می دهیم. در ادامه به مطالعه ،طراحی و تحلیل CMOS-OPAMP می پردازیم و با استفاده از HSPICE در تکنولوژی 50nm مشخصه های تقویت کننده را شبیه سازی می کنیم.
سپس ترانزیستورهای مبتنی بر سیلیکون(SI-FET) را با ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی(CNFET) جایگزین می کنیم تا CNFET-OPAMP ایجاد گردد و با استفاده از مدل فشرده استانفورد برای ناحیه کانال درونی نانولوله های تک دیواره ای(SWNTs) در ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی (CNFET) ،مشخصه های CNFET-OPAMP را شبیه سازی می کنیم و در پایان مقایسه ای بین مشخصه های CMOS-OPAMP و CNFET-OPAMP ارائه می دهیم که35% افزایش در بهره حلقه باز،266% افزایش GBP،افزایش PM ،افزایش CMRR به میزان 114% ،افزایش سرعت تغییر خروجی به میزان 62% و کاهش 476% در توان مصرفی را نشان می دهد.
دانلود نمونه پایاننامه برق الکترونیک 3
موضوع:
چکیده:
امروزه سنسورهاي رطوبت کاربردهاي زيادي در زمينه هاي مختلف از جمله پروسه هاي کنترل محيط زيست, کاربردهاي خانگي, صنعت خودروسازي, پزشکي, کشاورزي و صنايع شيميايي بدست آورده اند. تا به امروز ساختارهاي مختلفي براي سنسور رطوبت پيشنهاد شده است که پس از مروري بر اين مطالعات, در اين پژوهش ساختار جديدي از سنسور رطوبت با هدف تجاري سازي ارائه شده است.
در اين ساختار از رونشاني بخار شيميايي نانو لوله هاي کربني بر روي کريستال استفاده گرديده و تغييرات خطي مقاومت نانو لوله هاي کربني در معرض رطوبت مطالعه شده است. آزمايش هاي آموزش انجام شده بر روي سنسور شامل بررسي رفتار دمايي, زمان افت وخيز, بازپخت دمايي, تاثير اندازه, تکرار پذيري, اثرمزاحمت ها و حد تشخيص آن بوده و نتايج هريک از آزمايش هاگزارش شده است.
همچنين نانو ساختار هاي کربني متفاوتي مانند نانو لوله هاي کربني تک جداره و چند جداره, نانو فيبر کربن, کربن فعال شده و ترکيب هريک با کلريد ليتيوم, رونشاني و رفتار هريک گزارش شده است. سپس با استفاده از نرم افزار, دو نمونه ساختار کامل و نقص دار نانو لوله کربني با حضور و بدون حضور مولکول آب شبيه سازي گرديد و با استفاده از تئوري تابعي چگالي و تقريب چگالي موضعي رفتار ساختار بررسي شد که نتايج شبيه سازي با نتايج تجربي تطابق دارد. نتايج حاصل از آزمايشات نشان دهنده اينست که سنسور پيشنهادي کانديداي خوبي براي استفاده در صنعت مي باشد.
دانلود نمونه پایاننامه برق الکترونیک 4
موضوع:
چکیده:
در تحقیق که پیشرو داریم بر آنیم تا با توجه به نیاز روزافزون به بهره گیری و استفاده از مدارهای الکترونیکی دیجیتال و نیاز به بهینه سازی جهت بهبود عملکرد که شامل مصرف توان کمتر، سرعت بالاتر، اشغال فضای کمتر و عملکرد بهتر می باشد با ایجاد تغییراتی در یکی از قسمت های یک ابزار بسیارکاربردی و مفید در طراحی و پیاده سازی مدارهای دیجیتال یعنی گیت قابل برنامه ریزی میدانی سبب بهبود عملکرد این ابزار شویم.
در این تحقیق باتوجه به این نکته که عمده مصرف توان این ابزار در سلول های حافظه صرف می گردد و توجه به این نکته که بخش عمده ساختمان اجزای تشکیل دهنده تراشه شامل بلوک های منطقی قابل پیکربندی که خود شامل سوییچ های مسیریابی و جداول جستجو می باشند که حجم زیادی از این قسمت ها را سلول های حافظه تشکیل می دهند و باتوجه به این نکته که بخش عمده اتلاف توان را جریان نشتی ترانزیستورهای سلول حافظه در زمان بیکاری ایجاد میکنند با کاهش این جریان نشتی سبب کاهش توان مصرفی ایستا در سلول حافظه و در نهایت کل تراشه گیت قابل برنامه ریزی میدانی شویم و با کاهش مصرف توان دراین ابزار سبب بهبود عملکرد آن شویم.