نمونه پایاننامه (الکترونیک)

نمونه پایان‌نامه (الکترونیک): راهنمای نگارش و یافتن منابع

نوشتن پایان‌نامه یک فرآیند چالش‌برانگیز اما ارزشمند است که به شما کمک می‌کند تا دانش و مهارت‌های خود را در یک زمینه خاص به نمایش بگذارید. در این مقاله، به ارائه راهنمایی برای نگارش نمونه پایان‌نامه (الکترونیک) و همچنین معرفی منابعی برای یافتن نمونه‌های باکیفیت می‌پردازیم.

مراحل نگارش نمونه پایان‌نامه (الکترونیک):

1. انتخاب موضوع: اولین قدم در نگارش نمونه پایان‌نامه، انتخاب موضوعی است که به آن علاقه دارید و در آن تخصص دارید. موضوع انتخابی شما باید به اندازه کافی محدود باشد تا بتوانید آن را در چارچوب زمانی محدود نمونه پایان‌نامه به اتمام برسانید.
2. بررسی منابع: پس از انتخاب موضوع، باید به جمع‌آوری و بررسی منابع مرتبط با موضوع خود بپردازید. این منابع می‌توانند شامل کتاب‌ها، مقالات، وب‌سایت‌ها و سایر مواد علمی باشند.
3. تهیه چارچوب کلی: پس از جمع‌آوری اطلاعات کافی، باید چارچوب کلی نمونه پایان‌نامه خود را تهیه کنید. این چارچوب باید شامل بخش‌های مختلف نمونه پایان‌نامه مانند مقدمه، ادبیات موضوع، روش‌شناسی، یافته‌ها، بحث و نتیجه‌گیری باشد.
4. نوشتن متن: پس از تهیه چارچوب کلی، باید به نوشتن متن نمونه پایان‌نامه خود بپردازید. در هنگام نوشتن، باید به نکاتی مانند وضوح، انسجام، دقت و صحت علمی توجه کنید.
5. ویرایش: پس از نوشتن متن اولیه، باید نمونه پایان‌نامه خود را به دقت ویرایش کنید تا از عدم وجود هرگونه خطا یا نقصی در آن مطمئن شوید.

نکات مهم در نگارش نمونه پایان‌نامه (الکترونیک):

• از یک سبک نگارش علمی و استاندارد استفاده کنید.
• منابع خود را به طور دقیق cite کنید.
• از نمودارها، جداول و تصاویر برای روشن‌تر شدن مطالب خود استفاده کنید.
• نمونه پایان‌نامه خود را به طور مرتب proofread کنید.
• از نظرات و پیشنهادات اساتید و راهنمایان خود استفاده کنید.

منابع برای یافتن نمونه پایان‌نامه (الکترونیک):

• کتابخانه‌های دانشگاهی: کتابخانه‌های دانشگاهی معمولاً به مجموعه‌های بزرگی از پایان‌نامه‌های الکترونیکی دسترسی دارند. شما می‌توانید با مراجعه به وب‌سایت کتابخانه دانشگاه خود یا جستجو در پایگاه‌های داده مانند ProQuest یا EBSCOhost، نمونه‌های مرتبط با موضوع خود را پیدا کنید.
• مخازن آنلاین پایان‌نامه: بسیاری از دانشگاه‌ها و موسسات علمی، پایان‌نامه‌های دانشجویان خود را به صورت آنلاین در دسترس قرار می‌دهند. شما می‌توانید با جستجو در وب‌سایت این دانشگاه‌ها و موسسات، نمونه‌های مرتبط با موضوع خود را پیدا کنید.
• سایت‌های ناشران آکادمیک: برخی از ناشران آکادمیک، مجموعه‌هایی از نمونه پایان‌نامه‌ها را به صورت آنلاین یا چاپی ارائه می‌کنند. شما می‌توانید با مراجعه به وب‌سایت این ناشران، از مجموعه‌های آنها دیدن کنید و نمونه‌های مرتبط با موضوع خود را پیدا کنید.

نمونه‌هایی از سایت‌های ناشران آکادمیک:

• https://about.proquest.com/en/dissertations/
• https://www.ebsco.com/resources/ebsco-open-dissertations
• https://www.springer.com/series/8790
• https://www.elsevier.com/
• https://www.taylorfrancis.com/

توجه: در هنگام استفاده از نمونه پایان‌نامه‌های الکترونیکی، به خاطر داشته باشید که این نمونه‌ها فقط برای راهنمایی و الگوبرداری هستند. شما نباید به طور مستقیم از متن یا ایده‌های این نمونه‌ها در نمونه پایان‌نامه خود استفاده کنید، زیرا این کار plagiarism محسوب می‌شود.

نمونه پایاننامه (الکترونیک)

طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

فهرست مطالب

چکیده 1

فصل اول:کلیات تحقیق

1- بیان مسئله و ضرورت آموزش انجام تحقیق. 3

1-1 تکنولوژی های مورد استفاده 5

1-1-1  نانولوله های کربنی. 5

1-1-2 نانو سیم های سیلیکونی. 6

فصل دوم: مروری بر تحقیقات آموزش انجام شده

2-1 ساختار ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی.. 11

2-2 کاربرد نانولوله کربنی در نانو الکتریک… 13

2-3 روشهای تولید و رشد نانولوله کربنی.. 14

2-4 ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی.. 16

2-4-1روال ساخت ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی. 18

2-5 مزایای استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی.. 19

2-6 چالش های استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی.. 20

2-6-1 تغییر پذیری در قطر نانولوله های کربنی.. 21

2-6-2 تراکم بسته بندی نانولوله ها 23

2-6-3 فاصله بین نانولوله های کربنی مجاور و تغییر پذیری آن. 24

2-6-4 نامرتبی در نانو لوله ها 24

2-6-5 وجود اتصالات SB بین سورس و درین و نانولوله ها 24

2-6-6 رشد ناخواسته فلز در نانو لوله ها 25

فصل سوم: روش تحقیق

1- مقدمه. 27

3-1op-amp  دو طبقه. 28

3-1-1 بهره حلقه باز فرکانس پایین AOLDC. 30

3-2-1 نرخ مد مشترک ورودی.. 31

3-1-3 توان مصرفی.. 32

3-1-4 سویینگ خروجی.. 32

3-1-5 آفست.. 32

3-2 جبران سازی op-amp. 33

3-1-2حذف صفر. 43

3-2-2 جبران سازی برای عملکردهای با سرعت بالا. 45

3-3سرعت تغییرات خروجی (Slew Rate). 51

3-4 CMRR 53

3-5 PSRR. 55

3-6 خلاصه مقادیر cmos op-amp. 57

فصل چهارم: نتایج

4-1 ساختار مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی.. 60

4-2 cnfet op-amp دو طبقه. 62

4-3  بهره حلقه باز cnfet op-amp. 64

4-4  پاسخ فرکانسی cnfet op-amp. 65

4-5  پاسخ پله cnfet op-amp. 66

4-6  شبیه سازی CMRR در  cnfet op-amp. 67

4-7  خلاصه پارامترهای cnfet op-amp. 68

فصل پنجم:بحث و نتیجه گیری

5-1 مقایسه پارامترهای cmos&cnfet op-amp………………………………………………………………………………………………..70

5-2 نتیجه گیری…………………………………………………………………………………………………………………………………………………70

5-3 کارهای آینده …………………………………………………………………………………………………………………………………………….71

منابع. 72

چکیده انگلیسی.. 78

فهرست جدول ها

جدول 3-1 پارامترهای نوعی برای طراحی آنالوگ با استفاده از فرایند short CHANNEL CMOS. 30

جدول 3-2 خلاصه پارامترهای CMOS OP-AMP. 58

جدول 4-1 پارامترهای نوعی برای طراحی آنالوگ با استفاده از فرایند  cnfet &stanford model. 63

جدول 4-2 خلاصه پارامترهای cnfet op-amp. 68

جدول 4-3 مقایسه پارامترهای cmos &cnfet op-amp. 68

فهرست شکل ها

شکل1-1. نانو لوله کربنی تک دیواری.. 5

شکل 1-2-الف. ترانزیستور اثر میداني مبتني بر نانوتیوب با استفاده از ساختار back gate.. 6

شکل 1-2-ب. ترانزیستور اثر میداني مبتني بر نانوتیوب با استفاده از ساختار  gate top.. 6

شکل1-3. ترانزیستور اثر میداني مبتني بر نانوسیم سیلیکونی.. 9

شکل 2-1. نمایش مصور از نانولوله تک جداره با آرایه متقارن. 12

شکل 2-2. یک نانو لوله ی کربنی که توسط غلطاندن یک ورقه ی گرافیت بدست آمده 13

شکل 2-3. ساخت نانولوله کربن به روش CVD.. 15

شکل 2-4-الف. ساختار ترانزیستور مبتنی بر نانولولههای کربنی نوع SB.. 16

شکل2-4-ب. ساختار ترانزیستور مبتنی بر نانولوله های کربنی نوع MOSFET.. 16

شکل 2-5-الف. ناحیه هدایت ترانزیستور مبتنی بر نانولوله های کربنی نوع SB.. 17

شکل 2- 5-ب. ناحیه هدایت ترانزیستور مبتنی بر نانولوله های کربنی نوع MOSFET.. 17

شکل 2-6-الف. رشد حرارتی SiO2 بر روی ویفر سیلیکون. 19

شکل 2-6-ب. کشیدن الگوی برای تنظیم نشانه ها 19

شکل 2-6-ج. باز کردن پنجره های ضد نور. 19

شکل 2-6-د. رسوب کاتالیزور. 19

شکل 2-6-ه. خوردگی ماده ضد نور. 19

شکل 2-6-و. رشد نانو لوله ها به روش CVD.. 19

شکل 2-6-ز. ساخت الکترودهای فلزی.. 19

شکل 2-6-ح. ساخت پشته بالای گیت که شامل و فلز گیت میشود. 19

شکل 2-6-ط. ناخالص سازی CNT.. 19

شکل 3-1. بلوک دیاگرام op-amp دو طبقه با بافر خروجی.. 27

شکل 3-2. op-amp دو طبقه بیس… 29

شکل 3-3-الف. منحنی انتقال DC برای op-amp شکل 2-3. 31

شکل 3-3-ب. بهره (مشتق الف) 31

شکل 3-4-الف. نمایش چگونگی ایجاد ولتاژ آفست برگشتی به ورودی.. 33

شکل 3-4-ب. مدل کردن آفست… 33

شکل 3-5. بلوک دیاگرام سطح op-amp.. 33

شکل 3-6. مثالی از فیدبک در op-amp.. 36

شکل 3-7. پیکر بندی ولتاژ فالوئر ،مثالی از تقویت کننده حلقه بسته با ضریب فیدبکی یک… 36

شکل 3-8. مدل مورد استفاده برای تخمین پهنای باند در یک تقویت کننده cmos. 36

شکل 3-9. محاسبه پاسخ فرکانسی op-amp.. 38

شکل 3-10. پیکر بندی مدار مورد استفاده برای شبیه سازی پاسخ فرکانسی حلقه باز. 39

شکل 3-11. پاسخ فرکانسی حلقه باز op-amp شکل 3-9. 40

شکل 3-12. افزایش مقدار خازن جبران ساز به 2.4pf.. 41

شکل 3-13. پاسخ پله ضعیف op-amp با وجود صفر. 42

شکل 3-14. اضافه کردن مقاومت حذف صفر در op-amp شکل 3-9. 42

شکل 3-15. پاسخ پله مناسب op-amp در غیاب صفر. 43

شکل 3-16. مستقل کردن فرایند مقاومت حذف صفر. 44

شکل 3-17. استفاده از یک تقویت کننده برای کم اثر کردن سیگنال فوروارد. 44

شکل 3-18. فیدبک کردن یک جریان به طور غیر مستقیم جهت جلوگیری از صفر RHP.. 45

شکل 3-19. مدل مورد استفاده برای تخمین پهنای باند با جریان فیدبک غیر مستقیم. 46

شکل 3-20. شبیه سازی اپ امپ شکل 3-9 با استفاده از جبران سازی غیر مستقیم در شکل 3-18. 48

شکل 3-21. پاسخ پله اپ امپ شکل 3-18 با پاسخ فرکانسی شکل 3-20. 49

شکل 3-22. پیاده سازی جبران سازی فیدبک غیر مستتقیم بدون توان مصرفی اضافه در اپ امپ دو طبقه. 50

شکل 3-23-الف. پاسخ پله اپ امپ شکل 3-22 با بار خازنی 100Ff.. 50

شکل 3-23-ب. پاسخ فرکانسی اپ امپ شکل 3-22 با بار خازنی 100Ff.. 51

شکل 3-24. عملکرد سیگنال بزرگ اپ امپ شکل 3-9. 52

شکل 3-25. عملکرد سیگنال بزرگ اپ امپ شکل 3-22. 54

شکل 3-26. مدار مورد استفاده برای شبیه سازی CMRR.. 54

شکل 3-27. op-amp توپولوژی معکوس… 55

شکل 3-28-الف. مدار تست برای تعیین PSRR.. 56

شکل 3-28-ب. بهره حلقه باز. 56

شکل 3-28-ج. بهره از سیگنال Ac در VDD به خروجی.. 56

شکل 3-28-د. بهره از سیگنال AC در زمین به خروجی.. 56

شکل 4-1. ساختار سه بعدی ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی با4 نانولوله کربنی به عنوان کانال. 60

شکل 4-2-الف. منحنی انتقال DC برای  cnfet op-amp.. 64

شکل 4-2-ب. بهره (مشتق) AOLDC.. 64

شکل 4-3. پاسخ فرکانسی cnfet op-amp.. 65

شکل 4-4. پاسخ پله بسیار خوب  cnfet op-amp.. 66

شکل 4-5. نمایش CMRR در cnfet op-amp.. 67

شکل 4-6. عملکرد سیگنال بزرگ cnfet op-amp.. 67

• نمونه پایاننامه